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TE|NanoRF 边缘发射连接器产品相关介绍

分类: 产业资讯       

NanoRF 边缘发射连接器
TE 的连接器符合众多行业标准,可帮助应对任何应用挑战
TE Connectivity AMP 的 NanoRF 边缘发射连接器图片TE Connectivity (TE) 的 NanoRF 边缘发射连接器可提供比 SMPM 和 SMPS 边缘发射选型更高的密度和耐用性,并使用 TE 的混合射频/光模块将射频集成在光互连之上。该产品的技术可用于支持符合 SOSA 协议的 NanoRF 连接器模块。NanoRF 边缘发射连接器的频率范围为 2 MHz 至 40 GHz,在 40 GHz 至 85 GHz 的频率范围内电压驻波比为 1.5:1,在 2 MHz 至 40 GHz 的频率范围内电压驻波比为 1.4:1,在 40 GHz 至 67 GHz 的频率范围内电压驻波比为 1.5:1。NanoRF 边缘连接器符合众多行业标准,随时准备帮助应对任何应用挑战。

NanoRF 边缘发射连接器.jpg

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1、TE|NanoRF 边缘发射连接器关特性表:

优势:电气特性:标准和规范:
模块中的 NanoRF 接触插头端接到 PC 板,无需电缆串扰:频率范围为 3 GHz 至 27 GHz,可实现 100 dB 的串扰EIA-364:电连接器/插座测试程序,包括环境分类
插塞接头提高了边缘发射终端和配接面之间的公差,降低了堆叠板所需的配接力插损:不大于0.12 * sqrt (f) dB,其中 f 为GHz; 20 GHz 时的最大插损 = 0.5367 dBANSI/VITA 67.3:VPX 上的同轴互连,背板上的弹簧加载触点
触点和模块设计可针对不同规格和触点数进行配置符合 VITA 72 冲击和振动标准ANSI/VITA 48.1:使用 REDI 空气冷却的微型计算机的机械规范

符合 VITA 67 环保要求ANSI/VITA 46.0:VPX 基线标准


ANSI/VITA 65.0-2019:OpenVPX 系统标准


ANSI/VITA 65.1-2019:OpenVPX 系统标准 - 配置文件表


MIL-STD-810H:环境工程师

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